[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法有效
申请号: | 201810010888.5 | 申请日: | 2018-01-05 |
公开(公告)号: | CN110007554B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 覃柳莎 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法,修正方法:对第一类型分割边和第二类型分割边进行第一OPC修正,得到第一类型初始修正边和第二类型修正边;根据初始边缘放置误差对第一类型初始修正边进行第二OPC修正,得到第一类型修正边;之后获取第一类型修正边的第一边缘放置误差和第二类型修正边的第二边缘放置误差;若第一边缘放置误差大于第一阈值或第二边缘放置误差大于第二阈值,将第一类型修正边和第二类型修正边构成的图形作为目标图形并重复将子目标图形的各边分割为若干分割边至获取第一边缘放置误差和第二边缘放置误差的过程直至第一边缘放置误差和第二边缘放置误差均小于第二阈值,第一阈值小于第二阈值。提高了修正效率。 | ||
搜索关键词: | 光学 邻近 修正 方法 掩膜版 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括:提供目标图形,所述目标图形包括多个子目标图形;将子目标图形的各边分割为若干分割边;获取若干分割边中的第一类型分割边,第一类型分割边之外的分割边为第二类型分割边;对第一类型分割边和第二类型分割边进行第一OPC修正,得到第一类型初始修正边和第二类型修正边;获取第一类型初始修正边的初始边缘放置误差;根据初始边缘放置误差对第一类型初始修正边进行第二OPC修正,得到第一类型修正边;进行第二OPC修正后,获取第一类型修正边的第一边缘放置误差和第二类型修正边的第二边缘放置误差;若第一边缘放置误差大于第一阈值,或第二边缘放置误差大于第二阈值,则将第一类型修正边和第二类型修正边构成的图形作为目标图形,并重复将子目标图形的各边分割为若干分割边至获取第一边缘放置误差和第二边缘放置误差的过程,直至第一边缘放置误差小于第一阈值,且第二边缘放置误差小于第二阈值,第一阈值小于第二阈值。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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