[发明专利]一种GaSb基背靠背结构四波段红外探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种GaSb基背靠背四波段红外探测器及其制备方法，该结构设计可以用于标定二氧化碳（CO2）的两个吸收峰值（2.7μm、4.27μm）。该GaSb基背靠背结构四波段探测器结构依次为：GaSb衬底上生长GaSb缓冲层、P型电极接触层、截止波长为4.6μm的PIN结构InAs/GaSb吸收区、截止波长为4.1μm的NIP结构InAs/GaSb吸收区、InAsSb电极接触层、截止波长为2.9μm的PIN型InAs/GaSb吸收区、截止波长为2.5μm的NIP型InAs/GaSb吸收区及P型电极接触层。

主权项

1.一种GaSb基背靠背结构的四波段探测器，其特征在于，至少要在GaSb衬底上生长缓冲层、P型欧姆接触层、四个波段的光吸收区、N型欧姆接触层。