[发明专利]一种SSD写性能的提高方法及装置在审

专利信息
申请号: 201810011293.1 申请日: 2018-01-05
公开(公告)号: CN108228478A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 邹茂红;彭鹏;姜黎 申请(专利权)人: 湖南国科微电子股份有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F3/06
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 410100 湖南省长*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请公开了一种SSD写性能的提高方法及装置,涉及电子技术领域,为解决SSD写性能的持久度低的问题而发明。该方法主要包括:如果接收到写IO指令,则判断SLC Cache是否存在空闲物理空间,所述空闲物理空间是指所述SLC Cache的剩余空闲空间大于或等于写入数据的所需的存储空间;如果不存在所述空闲物理空间,则获取SSD的闪存的Block地址;更改所述Block地址的闪存模式为单层式存储SLC模式,所述Block地址为借用SLC Cache;根据所述SLC模式,在所述Block地址内所述执行所述写IO指令。本申请主要应用于SSD写指令的执行过程中。
搜索关键词: 物理空间 写性能 空闲 写IO指令 电子技术领域 存储空间 闪存模式 剩余空闲 写入数据 持久度 单层式 写指令 闪存 申请 存储 借用 应用
【主权项】:
1.一种SSD写性能的提高方法,其特征在于,所述方法包括:如果接收到写IO指令,则判断SLC Cache是否存在空闲物理空间,所述空闲物理空间是指所述SLC Cache的剩余空闲空间大于或等于写入数据所需的存储空间;如果不存在所述空闲物理空间,则获取SSD的闪存的Block地址;更改所述Block地址的闪存模式为单层式存储SLC模式,所述Block地址为借用SLCCache;根据所述SLC模式,在所述Block地址内所述执行所述写IO指令。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南国科微电子股份有限公司,未经湖南国科微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810011293.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top