[发明专利]高亮度LED及其制备工艺有效
| 申请号： | 201810012610.1 | 申请日： | 2018-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108281515B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 李丹丹 | 申请（专利权）人： | 洲磊新能源（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种高亮度LED及其制备工艺，所述高亮度LED包括依次层叠在衬底上的缓冲层、电子提供层、发光层、空穴提供层；所述发光层包括交替沉积在所述电子提供层上的多个发光阱层和多个发光垒层；发光层中靠近空穴提供层一侧位于发光阱层和发光垒层之间至少其中之一设置第一薄阱层和第一薄垒层。第一薄阱层和第一薄垒层的设置将对跃迁速度变慢的电子产生阻隔作用，进一步降低电子跃迁速度，防止电子向空穴提供层跃迁，同时第一薄阱层和第一薄垒层提高了空穴向发光层中的跃迁速度，两方面共同作用增加了电子和空穴在发光层中的复合效率，进而提高内量子效率，提高发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴 发光层 垒层 高亮度LED 薄阱层 跃迁 电子提供层 制备工艺 发光阱 发光 内量子效率 电子产生 电子跃迁 复合效率 交替沉积 依次层叠 缓冲层 衬底 阻隔 | ||
【主权项】：
1.一种高亮度LED制备工艺，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积缓冲层；在所述缓冲层上沉积电子提供层；在所述电子提供层上沉积发光层；在所述发光层上沉积空穴提供层；所述发光层包括交替沉积在所述电子提供层上的多个发光阱层和多个发光垒层，所述发光阱层和所述发光垒层交替层叠设置，发光阱层为铟镓氮层，发光垒层为氮化镓层，发光阱层数量等于发光垒层数量，第一个发光阱层沉积在电子提供层上，空穴提供层沉积在最后一个发光垒层上；发光层中靠近空穴提供层一侧位于发光阱层和发光垒层之间至少其中之一设置第一薄阱层和第一薄垒层，所述第一薄阱层产生的势阱深度高于发光阱层势阱深度且在第一薄阱层中铟含量保持不变，所述第一薄垒层产生的势垒深度低于发光垒层势垒 深度，且在第一薄垒层中铟含量以渐变的方式减少，第一薄阱层与第一薄垒层接触面铟含量相等。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于洲磊新能源（深圳）有限公司，未经洲磊新能源（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810012610.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
