[发明专利]一种阻变存储器件及其制造方法在审
申请号: | 201810013102.5 | 申请日: | 2018-01-07 |
公开(公告)号: | CN108269916A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 周立伟 | 申请(专利权)人: | 周立伟 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300072 天津市南*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种阻变存储器件及其制造方法,该阻变存储器件包括下电极、固态电解液、上电极的三明治结构,其中固态电解液包括两层固态电解液,其中一层固态电解液中包括采用电学初始化的方法形成导电细丝。本发明的阻变存储器制备方法简单、器件工作时不同电阻状态一致性好,器件可靠性高,是下一代非易失性存储器的有力竞争者。 | ||
搜索关键词: | 固态电解液 阻变存储器件 非易失性存储器 器件可靠性 三明治结构 阻变存储器 导电细丝 电阻状态 一致性好 初始化 下电极 电极 电学 两层 制备 制造 | ||
【主权项】:
1.一种阻变存储器件,该阻变存储器包括下电极、阻变材料层、上电极,其特征在于所述阻变材料层包括第一阻变材料层和第二阻变材料层,所述第一阻变材料层中包括采用电学初始化的方法形成的导电细丝。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于周立伟,未经周立伟许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810013102.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种形成磁阻器件的方法以及磁阻器件
- 下一篇:一种有机场效应器件及其制备方法