[发明专利]蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法以及蒸镀掩模的制造方法有效
| 申请号： | 201810014059.4 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN108286034B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 池永知加雄 | 申请（专利权）人： | 大日本印刷株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F1/44;G03F1/72;C23C14/04;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法以及蒸镀掩模的制造方法，在设从P1点至Q1点的尺寸为X1，设从P2点至Q2点的尺寸为X2，且设规定的值为α |
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| 搜索关键词： | 蒸镀掩模 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种蒸镀掩模，其在第1方向上延伸，其特征在于，所述蒸镀掩模具备：中心轴线，其在所述第1方向上延伸，且被配置于和所述第1方向垂直的第2方向的中心位置处；P1点和Q1点，它们被设置于所述中心轴线的一侧，且沿着所述第1方向互相分离；以及P2点和Q2点，它们被设置于所述中心轴线的另一侧，且沿着所述第1方向互相分离，所述P1点和所述P2点被有意配置成在蒸镀时关于所述中心轴线互相对称，所述Q1点和所述Q2点被有意配置成在蒸镀时关于所述中心轴线互相对称，在设从所述P1点至所述Q1点的尺寸为X1，设从所述P2点至所述Q2点的尺寸为X2，设规定的值为αX时，满足【算式1】![]()
且满足【算式2】|X1‑X2|≤60μm
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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