[发明专利]一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法有效
| 申请号： | 201810016138.9 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN107991230B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 窦瑛;徐永宽;洪颖;杨丹丹;高飞 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | G01N19/00 | 分类号： | G01N19/00 |
| 代理公司： | 12105 天津中环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法。该方法将生长得到的碳化硅晶锭进行平面磨、滚圆加工；对滚圆后的晶锭进行定向，确定基准轴方向为<11‑20>方向；沿<11‑20>方向加工非对称V型槽；晶锭加工制备成晶片；加工后的晶片其V型槽形成夹角θ，形成夹角θ的两条斜边分别设为a和b，且两条斜边的长度满足a≠b；以两条斜边a＜b还是两条斜边a＞b即可判断出所对应的晶片表面为碳面或是硅面。本发明降低了对晶片的损伤，提高了晶片的有效使用面积，降低了成本，高效实现了对晶片碳硅面的判断；同时能省去晶片原有的大定位边，可以减少再生长得到的晶体缺陷，提高晶体品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辨别 碳化硅 晶片 碳硅面 方法 | ||
【主权项】：
1.一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n（1）、将生长得到的碳化硅晶锭进行平面磨、滚圆加工；/n（2）、对滚圆后的晶锭进行定向，确定基准轴方向为<11-20>方向；/n（3）、沿<11-20>方向加工一个非对称V型槽；/n（4）、对晶锭进行切割、研磨、倒角和抛光加工，制备成晶片；/n（5）、加工后的晶片其非对称V型槽形成夹角θ，形成夹角θ的两条斜边分别设为a和b，且两条斜边的长度满足a≠b；/n（6）、以两条斜边a＜b还是两条斜边a＞b即可判断出所对应的晶片表面为碳面或是硅面；/n所述的非对称V型槽的夹角θ为90°±5°，深度为1mm±0.2mm。/n
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