[发明专利]非易失性存储器件及其高压开关电路在审
| 申请号： | 201810017036.9 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN108288485A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 宋仲镐;劝兑晎;李耀翰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性存储器件的高压开关电路包括高压晶体管、逻辑和高压开关。高压晶体管基于编程启动电压而导通，并且向第一存储块传送编程电压。所述逻辑基于使能信号和开关控制信号来产生路径选择信号，所述开关控制信号基于非易失性存储器件的操作参数或针对第一存储块的至少一部分的存取地址之一。在第一存储块上的编程操作期间激活所述使能信号。高压开关基于路径选择信号经由多个传送路径之一来向高压晶体管的栅极传送编程启动电压。结果，消除了由编程启动电压产生的负偏置温度不稳定性(NBTI)的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器件 高压晶体管 启动电压 编程 高压开关电路 开关控制信号 路径选择信号 存储 高压开关 使能信号 负偏置温度不稳定性 传送 编程操作期间 编程电压 操作参数 传送路径 存取地址 导通 激活 | ||
【主权项】：
1.一种包括多个存储块的非易失性存储器件的高压开关电路，所述高压开关电路包括：高压n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管，基于编程启动电压而导通，并且向所述多个存储块中的第一存储块传送编程电压；逻辑，基于使能信号和开关控制信号来产生路径选择信号，所述开关控制信号基于所述非易失性存储器件的操作参数或针对所述第一存储块的至少一部分的存取地址之一，在所述第一存储块上的编程操作期间激活所述使能信号；以及高压开关，用于基于所述路径选择信号经由多个传送路径之一来向所述高压NMOS晶体管的栅极传送所述编程启动电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810017036.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包括多个平面的非易失性存储器件
- 下一篇：非易失性存储器的驱动电路
