[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810017186.X | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN108288648B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 田炅烨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种用于制造半导体的方法。在衬底上形成第一氧化物层。在第一氧化物层上形成第一氮化物层。在第一氮化物层上形成第二氧化物层和第二氮化物层。在第二氮化物层上形成多晶硅层。在多晶硅层上形成第三氮化物层。在第三氮化物层上形成一个或多个第一图案。将所述一个或多个第一图案转印到多晶硅层，以形成一个或多个图案化的多晶硅层。通过将所述一个或多个图案化的多晶硅层用作第一掩模来去除第一氧化物层、第一氮化物层、第二氧化物层和第二氮化物层的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一氧化物层；在第一氧化物层上形成第一氮化物层；在第一氮化物层上形成第二氧化物层；在第二氧化物层上形成第二氮化物层；在第二氮化物层上形成多晶硅层；在多晶硅层上形成第三氮化物层；在第三氮化物层上形成多个第一图案；将多个第一图案转印到多晶硅层以形成多个多晶硅图案；以及使用多个多晶硅图案作为掩模去除第一氧化物层、第一氮化物层、第二氧化物层和第二氮化物层的一部分。
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