[发明专利]一种变斜率驱动电路

摘要

一种变斜率驱动电路，属于模拟集成电路技术领域。本发明用于驱动功率开关管，通过第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1对功率开关管进行充电，充电过程分为三个阶段，首先由输入端电压VIN对功率开关管的栅级快速充电至|VTHP|，这段时间充电速度最快；然后通过改变晶体管的工作状态，继续由输入端电压VIN进行充电至VIN‑VTHN，这段时间的充电速度较快；然后由输入端电压VIN以较慢的速度继续充电至接近输入端电压VIN。在断电时，由电阻R以及第一PNP型三极管QP1、第二PNP型三极管QP2和第一NPN型三极管QN1组成的正反馈对功率开关管进行放电，形成两股电流对功率开关管栅源极间的电容进行放电，实现高效、快速驱动放电。本发明具有快速、低电磁干扰EMI与高可靠性的优点。

主权项

1.一种变斜率驱动电路，其特征在于，包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第一PMOS管(MP1)、第一NPN型三极管(QN1)、第一PNP型三极管(QP1)、第二PNP型三极管(QP2)和电阻(R)，第三NMOS管(MN3)的栅极连接使能信号(VQ)，其漏极连接第一NPN型三极管(QN1)的基极和第一PNP型三极管(QP1)的集电极并通过电阻(R)后连接第一PNP型三极管(QP1)和第二PNP型三极管(QP2)的发射极，其源极连接第一NPN型三极管(QN1)的发射极并接地(GND)；第一PNP型三极管(QP1)的基极连接第二PNP型三极管(QP2)的基极和集电极以及第一NPN型三极管(QN1)的集电极；第一PMOS管(MP1)的栅极连接第一逻辑信号(VE)，其源极作为所述驱动电路的输入端，其漏极连接第一NMOS管(MN1)的源极、第二NMOS管(MN2)的漏极和第一PNP型三极管(QP1)的发射极并作为所述驱动电路的输出端；第一NMOS管(MN1)的栅极连接第二逻辑信号(VF)，其漏极连接所述驱动电路的输入端；第二NMOS管(MN2)的栅极连接第一逻辑信号(VE)，其源极接地(GND)；所述第一逻辑信号(VE)和第二逻辑信号(VF)互补。