[发明专利]半导体发光结构及半导体封装结构有效
| 申请号： | 201810020131.4 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN108054265B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 吴志凌;黄逸儒;罗玉云;黄靖恩;丁绍滢 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光结构，包括一磊晶结构、一N型电极垫、一P型电极垫以及一绝缘层。N型电极垫与P型电极垫相间隔地设置于磊晶结构上，其中P型电极垫具有一第一上表面。绝缘层设置于磊晶结构上且位于N型电极垫与P型电极垫之间，其中绝缘层具有一第二上表面。P型电极垫的第一上表面与绝缘层的第二上表面共平面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 结构 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光结构，其特征在于，包括：/n一磊晶结构；/n一N型电极垫与一P型电极垫，相间隔地设置于所述磊晶结构上并分别与所述磊晶结构电性连接；/n一金属增高垫，设置于所述磊晶结构上并位于所述N型电极垫与所述P型电极垫之间；以及/n一绝缘层，设置于所述磊晶结构上且覆盖所述金属增高垫，所述N型电极垫与所述P型电极垫分别透过所述绝缘层上的孔洞与所述磊晶结构电性连接；/n其中，所述N型电极垫的一上表面与所述P型电极垫的一上表面实质上共平面。/n
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