[发明专利]第III-V族/锌硫属化物合金化的半导体量子点有效
| 申请号： | 201810020740.X | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108048084B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·丹尼尔斯;詹姆斯·哈里斯;保罗·安东尼·格拉维;凯瑟琳·奥查德;阿伦·纳拉亚纳斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 纳米技术有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70;C09K11/02;C09K11/56;C09K11/88;C01B25/14;B82Y20/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 程纾孟 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在II‑VI族分子加晶种簇存在下制备窄分布、明亮、单分散的光致发光量子点的规模化方法，所述分子加晶种簇由锌盐和硫醇或硒醇化合物的反应原位制造。示例性量子点具有含有铟、磷、锌和硫或硒的核心。 | ||
| 搜索关键词： | iii 锌硫属化物 合金 半导体 量子 | ||
【主权项】：
1.一种形成量子点(QD)的方法，所述方法包括：由簇前体原位形成分子簇化合物；以及通过以下方式在所述分子簇化合物的存在下由第III族前体和第V族前体生长半导体核心：加热包含所述第III族前体、所述第V族前体的溶剂，所述溶剂处于足以溶解所述第III族前体、所述第V族前体、所述簇前体的温度，以形成溶液，以及将所述溶液温度升至足以引发纳米粒子生长但不高到损坏原位形成的簇化合物分子的整体性。
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