[发明专利]金属玻璃微米箔电阻式应变传感器及其制备方法在审
申请号: | 201810021200.3 | 申请日: | 2018-01-10 |
公开(公告)号: | CN108328561A | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 赵杨勇;王俊;高海燕;鞠江;康茂东 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00;B81C1/00;G01B7/16 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 徐红银 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种金属玻璃箔材的电阻式应变传感器及其制备方法,所述传感器包括基底;位于所述基底上的金属玻璃敏感栅;覆盖于所述金属玻璃敏感栅上的覆盖层;其中:所述金属玻璃敏感栅由金属玻璃箔材制备得到。所述方法包括:制备胶膜基底;光刻制备金属玻璃敏感栅;覆盖保护膜;焊接引出线。本发明利用金属玻璃箔材作为敏感材料以提高商业化的传统箔式应变传感器的量程和性能,实现理想电阻式应变传感器;本发明制备工艺与现有箔式应变片生产工艺兼容,为其商业化推广带来便利。 | ||
搜索关键词: | 金属玻璃 应变传感器 敏感栅 制备 箔材 基底 电阻式 发明制备工艺 箔式应变片 理想电阻 敏感材料 保护膜 传感器 覆盖层 引出线 刻制 覆盖 胶膜 量程 生产工艺 焊接 兼容 便利 | ||
【主权项】:
1.一种金属玻璃微米箔电阻式应变传感器,其特征在于,包括:基底;位于所述基底上的金属玻璃敏感栅;覆盖于所述金属玻璃敏感栅上的覆盖层;其中:所述金属玻璃敏感栅由金属玻璃箔材制备得到。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810021200.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:自封加油枪
- 下一篇:一种压力传感器封装结构与封装方法