[发明专利]磁性隧道结器件以及磁性随机存储器有效
| 申请号： | 201810023640.2 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN110021699B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 何世坤;竹敏 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10B61/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 赵囡囡 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁性隧道结器件以及磁性随机存储器。其中，该磁性隧道结器件包括：第一磁性层、第二磁性层、第三磁性层以及介于第一磁性层与第二磁性层之间的第一分离层、介于第二磁性层与第三磁性层之间的第二分离层，其中，第三磁性层的磁化方向固定，第二磁性层的磁化方向平行或反平行于第三磁性层的磁化方向，第二磁性层的磁化方向与磁性隧道结器件中电流的方向相关，第一磁性层的磁化强度与磁性隧道结器件所处的环境温度相关，且第一磁性层为第二磁性层提供自旋转移力矩。本发明解决了现有的MRAM在低温下难以写入数据、高温下读取数据容易数据丢失的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 器件 以及 随机 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁性隧道结器件，其特征在于，包括：第一磁性层、第二磁性层、第三磁性层以及介于所述第一磁性层与所述第二磁性层之间的第一分离层、介于所述第二磁性层与所述第三磁性层之间的第二分离层，其中，所述第三磁性层的磁化方向固定，所述第二磁性层的磁化方向与所述第三磁性层的磁化方向平行或反平行，所述第二磁性层的磁化方向与磁性隧道结器件中电流的方向相关，所述第一磁性层的磁化强度与所述磁性隧道结器件所处的环境温度相关，且所述第一磁性层为所述第二磁性层提供自旋转移力矩。
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