[发明专利]红外光探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810024209.X | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN110021678B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 黄勇;赵宇;熊敏;吴启花 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外光探测器，包括N型衬底；依序层叠设置在所述N型衬底上的N型超晶格吸收层、P型超晶格势垒层和P型超晶格接触层，所述P型超晶格势垒层和所述P型超晶格接触层中间隔的多个区域被注入离子，以形成多个接触所述N型超晶格吸收层的N型区；设置在所述N型衬底上的第一电极；以及设置在所述P型超晶格接触层上的第二电极。本发明还公开了一种红外光探测器的制备方法。本发明实施例公开了一种红外光探测器，在P型超晶格势垒层和所述P型超晶格接触层中设置多个接触N型超晶格吸收层的N型区，从而形成多个电学隔离的P型区，实现各个器件的独立，且红外光探测器的制备工艺简单，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 红外光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种红外光探测器，其特征在于，包括：N型衬底(10)；依序叠层设置在所述N型衬底(10)上的N型超晶格吸收层(20)、P型超晶格势垒层(30)和P型超晶格接触层(40)，所述P型超晶格势垒层(30)和所述P型超晶格接触层(40)中间隔的多个区域被注入离子，以形成多个接触所述N型超晶格吸收层(20)的N型区(50)；设置在所述N型衬底(10)上的第一电极(70)；以及设置在所述P型超晶格接触层(40)上的第二电极(60)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
