[发明专利]采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，淀积第一层SiO2层，打开锗硅单晶外延窗口，非选择性生长锗硅外延层；在所述锗硅外延层上端，依次淀积第二层SiO2层、多晶硅层；光刻和干法刻蚀所述SiO2/多晶硅叠层；进行第一次外基区离子注入；淀积第三层SiO2层，回刻形成侧墙，进行第二次外基区离子注入；淀积第四层SiO2层；在所述第四层SiO2层的上端，淀积平坦化的有机介质层；用回刻方法将多晶硅顶端的有机介质层和二氧化硅层去除；干法刻蚀多晶硅，干刻将发射极窗口打开；回刻形成内侧墙；形成发射极和基极。本发明能够很简单地和现有的CMOS工艺集成，容易形成适合大规模量产的工艺流程。

主权项

1.一种采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在形成集电极后，淀积第一层二氧化硅SiO2层，打开锗硅单晶外延窗口，在去除所述锗硅单晶外延窗口内的二氧化硅SiO2层和清洗后，非选择性生长锗硅外延层；步骤2、在所述锗硅外延层上端，依次淀积第二层二氧化硅SiO2层、多晶硅层，即淀积SiO2/多晶硅叠层；步骤3、用牺牲发射极窗口光刻和干法刻蚀所述二氧化硅SiO2/多晶硅叠层，停在第二层二氧化硅SiO2层，除发射极区域外其余区域全部刻除；步骤4、用二氟化硼或硼离子进行第一次外基区离子注入；步骤5、淀积第三层二氧化硅SiO2层，回刻形成侧墙，用硼离子进行第二次外基区离子注入；步骤6、淀积第四层二氧化硅SiO2层；步骤7、在所述第四层二氧化硅SiO2层的上端，淀积平坦化的有机介质层；步骤8、用回刻方法将多晶硅顶端的有机介质层和二氧化硅层去除；步骤9、干法刻蚀多晶硅，干刻将发射极窗口打开；步骤10、在所述发射极窗口内淀积氮化硅SiN/二氧化硅SiO2叠层或无定型硅，回刻形成内侧墙；步骤11、湿法刻蚀和清洗所述发射极窗口后，在该发射极窗口内淀积重掺杂砷多晶硅，然后刻蚀发射极和基极多晶硅形成发射极和基极。