[发明专利]采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的工艺方法

摘要

本发明公开了一种采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的工艺方法，在形成集电极后，淀积第一层SiO2层，非选择性生长锗硅外延层；淀积SiO2/多晶硅/SiO2叠层；光刻和干法刻蚀所述SiO2/多晶硅/SiO2叠层；淀积第四层SiO2层，回刻形成侧墙；在有源区选择性生长单晶或多晶硅层，再淀积第五层SiO2层；淀积平坦化的有机介质层；多晶硅顶端的有机介质层和第五层SiO2层去除；将发射极窗口打开；回刻形成内侧墙；在发射极窗口内淀积重掺杂砷多晶硅，然后刻蚀发射极和基极多晶硅形成发射极和基极。本发明能够很简单地和现有的CMOS工艺集成，容易形成适合大规模量产的工艺流程。

主权项

1.一种采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在形成集电极后，淀积第一层二氧化硅SiO2层，打开锗硅单晶外延窗口，在去除所述锗硅单晶外延窗口内的二氧化硅SiO2层和清洗后，非选择性生长锗硅外延层；步骤2、在所述锗硅外延层上端，依次淀积第二层二氧化硅SiO2层、多晶硅层、第三层二氧化硅SiO2层，即淀积二氧化硅SiO2/多晶硅/二氧化硅SiO2叠层；步骤3、用牺牲发射极窗口光刻和干法刻蚀所述二氧化硅SiO2/多晶硅/二氧化硅SiO2叠层，停在第三层二氧化硅SiO2层，除发射极区域外其余区域全部刻除；步骤4、淀积第四层二氧化硅SiO2层，回刻形成侧墙，同时要保证多晶硅上有二氧化硅SiO2留存；步骤5、在有源区二氧化硅去除后，侧墙和多晶硅顶部留存二氧化硅SiO2，在有源区选择性生长单晶或多晶硅层，再淀积第五层二氧化硅SiO2层，所述第五层二氧化硅SiO2层覆盖器件的全部上端面；步骤6、在所述第五层二氧化硅SiO2层的上端，淀积平坦化的有机介质层；步骤7、用回刻方法把多晶硅顶端的有机介质层和第五层二氧化硅SiO2层去除；步骤8、干法刻蚀多晶硅，干刻将发射极窗口打开；步骤9、在所述发射极窗口10内淀积氮化硅SiN/二氧化硅SiO2叠层或无定型硅，回刻形成内侧墙；步骤10、湿法刻蚀和清洗所述发射极窗口后，在该发射极窗口内淀积重掺杂砷多晶硅，然后刻蚀发射极和基极多晶硅形成发射极和基极。