[发明专利]晶圆研磨方法在审
| 申请号： | 201810025135.1 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108269741A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 郁新举;刘玮荪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆研磨方法，在具有有机绝缘层以及金属层的晶圆正面覆盖保护蓝膜，然后使用硬质材料将保护蓝膜的表面磨平；再对晶圆进行背面减薄后去除正面保护蓝膜。本发明在对具有不平整表面的蓝膜的晶圆背面进行常规减薄作业之前，先使用硬质材料将蓝膜表面凸凹部分切削平整，然后再进行常规的减薄作业，可以有效改善减薄后的硅片厚度的均匀性，并极大降低晶圆的破片率。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝膜 减薄 晶圆 硬质材料 研磨 不平整表面 有机绝缘层 背面减薄 晶圆背面 晶圆正面 正面保护 常规的 金属层 均匀性 破片率 切削 硅片 磨平 去除 凸凹 种晶 平整 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆研磨方法，其特征在于：在具有有机绝缘层以及金属层的晶圆正面覆盖保护蓝膜，然后使用硬质材料将保护蓝膜的表面磨平；再对晶圆进行背面减薄后去除正面保护蓝膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810025135.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
