[发明专利]一种半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810026243.0 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108054202B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 陆阳;黄必亮;周逊伟 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成体区；在所述体区内形成漂移区，所述漂移区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相反；在所述体区内形成沟道区，所述沟道区部分向所述漂移区所在的方向延伸，形成至少一个沟道延伸区，所述至少一个沟道延伸区与所述漂移区之间形成交叉指状分布，所述沟道区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；在所述漂移区内形成隔离区，所述至少一个沟道延伸区的端部位于所述隔离区的下方；在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构一侧的沟道区内形成源区，在所述漂移区内形成漏区，所述漏区位于所述隔离区远离所述沟道区的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成体区；在所述体区内形成漂移区，所述漂移区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相反；在所述体区内形成沟道区，所述沟道区部分向所述漂移区所在的方向延伸，形成至少一个沟道延伸区，所述至少一个沟道延伸区与所述漂移区之间形成交叉指状分布，所述沟道区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；在所述漂移区内形成隔离区，所述至少一个沟道延伸区的端部位于所述隔离区的下方；在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构一侧的沟道区内形成源区，在所述漂移区内形成漏区，所述漏区位于所述隔离区远离所述沟道区的一侧。
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