[发明专利]一种背接触异质结太阳能电池制作方法在审

专利信息
申请号: 201810026470.3 申请日: 2018-01-11
公开(公告)号: CN110034208A 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 张超华;谢志刚;王树林;林朝晖 申请(专利权)人: 福建金石能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 362000 福建省泉州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种背接触异质结太阳能电池制作方法,所述方法包括在硅片的正面依次镀第一本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、一层增透层,硅片的背面依次镀第二本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第一透明导电膜层、一层绝缘层后印刷第一、第二、第三蚀刻油墨反应后再次镀层处理等步骤。本发明采用印刷技术形成指状交叉排列的载流子收集层,与光刻技术和掩膜技术对比,工艺流程大幅减少,更适合于大规模化量产;同时,本发明在硅片背面N型非晶硅表面先镀一层透明导电膜层,之后镀一层绝缘层保护,大幅增加背面N型非晶硅与导电膜层的接触面积,从而大幅降低电池的串联电阻,进而提高了电池的转换效率。
搜索关键词: 绝缘层 异质结太阳能电池 本征非晶硅层 透明导电膜层 背接触 硅片 背面 电池 蚀刻 载流子收集 印刷 串联电阻 导电膜层 镀层处理 光刻技术 硅片背面 技术对比 指状交叉 转换效率 工艺流程 增透层 量产 掩膜 油墨 制作
【主权项】:
1.一种背接触异质结太阳能电池制作方法,其特征在于:所述方法包括如下步骤:提供制绒清洗形成绒面的N型硅片;在硅片的正面依次镀第一本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、一层增透层;在硅片的背面依次镀第二本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第一透明导电膜层、一层绝缘层;在硅片的背面印刷第一蚀刻油墨,反应后经过清洗去除印刷区域的绝缘层、第一透明导电膜、第二N型非晶硅层、第二本征非晶硅层;通过清洗溶液清洗后,在硅片背面依次镀第三本征非晶硅层、第一P型非晶硅层;在硅片的背面绝缘层局部区域印刷第二蚀刻油墨,反应后经过清洗去除印刷区域的第一P型非晶硅层、第三本征非晶硅层、绝缘层;在硅片的背面镀第二透明导电膜层;在硅片的背面绝缘层局部区域印刷第三蚀刻油墨,反应后经过清洗去除印刷区域的第二透明导电膜层;在硅片的背面镀一层种子铜层;在硅片的背面印刷一层耐电镀油墨形成栅线图案;在硅片的背面栅线图案区域电镀铜,形成铜栅线电极;通过去膜溶液,去除硅片背面的耐电镀油墨及种子铜。
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