[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201810027050.7 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108364861B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 冈田将和;浦上泰;山下侑佑 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张建涛;车文 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及制造半导体装置的方法。制造半导体装置的方法包括：在半导体基板的表面上形成沟道；在沟道的侧表面和底表面上形成氧化膜；从沟道的底表面通过干蚀刻除去氧化膜的至少一部分；以及在干蚀刻之后，通过沟道的底表面将导电杂质离子注入到半导体基板中。干蚀刻是反应离子蚀刻，在所述反应离子蚀刻中，使用蚀刻气体，所述蚀刻气体包括具有碳原子环结构的碳氟化合物基气体、氧气和氩气。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法的特征在于包括：在半导体基板的表面上形成沟道；在所述沟道的侧表面和底表面上形成氧化膜；从所述沟道的所述底表面通过干蚀刻除去所述氧化膜的至少一部分；以及在所述干蚀刻之后，通过所述沟道的所述底表面将导电杂质离子注入到所述半导体基板中，其中，所述干蚀刻是反应离子蚀刻，在所述反应离子蚀刻中，使用蚀刻气体，所述蚀刻气体包括具有碳原子环结构的碳氟化合物基气体、氧气和氩气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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