[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810027190.4 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110034010B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;张冬平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和位于所述第一区两侧的第二区；在所述衬底第一区和第二区上形成功能层；在所述第一区功能层上形成初始掩膜层；对所述初始掩膜层进行刻蚀处理，形成掩膜层，所述掩膜层邻近所述第二区的侧壁的厚度大于所述掩膜层中心的厚度；所述刻蚀处理之后，以所述掩膜层为掩膜对所述功能层进行刻蚀，在所述第二区功能层中形成沟槽。所述形成方法能够精确控制相邻沟槽之间的间距，改善所形成的半导体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和位于所述第一区两侧的第二区；在所述衬底第一区和第二区上形成功能层；在所述第一区功能层上形成初始掩膜层；对所述初始掩膜层进行刻蚀处理，形成掩膜层，所述掩膜层邻近所述第二区的侧壁的厚度大于所述掩膜层中心的厚度；所述刻蚀处理之后，以所述掩膜层为掩膜对所述功能层进行刻蚀，在所述第二区功能层中形成沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810027190.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：返工方法以及酸性清洗液
- 下一篇：一种适用于低压扩散炉的源压控制方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
