[发明专利]黑体辐射源及黑体辐射源的制备方法在审
申请号: | 201810027828.4 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN110031109A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 魏洋;王广;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | G01J5/00 | 分类号: | G01J5/00;G01J5/52 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种黑体辐射源及一种黑体辐射源的制备方法。所述黑体辐射源包括一黑体辐射腔,该黑体辐射腔具有一内表面,其中,所述黑体辐射腔的内表面设置多个碳纳米管,且该多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面,所述多个碳纳米管远离所述内表面的一端形成所述多个碳纳米管的顶表面,所述多个碳纳米管的顶表面形成多个微结构。所述黑体辐射源的制备方法包括以下步骤:提供一黑体辐射腔,所述黑体辐射腔具有一内表面;在所述黑体辐射腔的内表面形成多个碳纳米管,所述多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面;在所述多个碳纳米管远离所述黑体辐射腔的内表面的顶表面形成多个微结构。 | ||
搜索关键词: | 黑体辐射腔 碳纳米管 内表面 黑体辐射源 顶表面 制备 微结构 垂直 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种黑体辐射源,该黑体辐射源包括一黑体辐射腔,该黑体辐射腔具有一内表面,其中,所述黑体辐射腔的内表面设置多个碳纳米管,且该多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面,所述多个碳纳米管远离所述内表面的一端形成所述多个碳纳米管的顶表面,所述多个碳纳米管的顶表面形成多个微结构。
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