[发明专利]薄膜体声波谐振器以及制造薄膜体声波谐振器的方法在审
| 申请号： | 201810027856.6 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108574468A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李泰京;孙晋淑;金成善;庆济弘;李华善;申兰姬 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 汪喆;包国菊 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜体声波谐振器以及制造薄膜体声波谐振器的方法。所述薄膜体声波谐振器包括：第一电极，设置在基板上；压电体，设置在所述第一电极上并包括添加有掺杂剂的AlN；以及第二电极，设置在所述压电体上并与所述第一电极相对，使得所述压电体介于所述第二电极和所述第一电极之间，其中，所述掺杂剂包括0.1原子％至24原子％的Ta和0.1原子％至23原子％的Nb中的任意一者。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜体声波谐振器 第一电极 压电体 第二电极 掺杂剂 基板 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜体声波谐振器，包括：第一电极，设置在基板上；压电体，设置在所述第一电极上并包括添加有掺杂剂的AlN；以及第二电极，设置在所述压电体上并与所述第一电极相对，使得所述压电体介于所述第二电极和所述第一电极之间，其中，所述掺杂剂包括0.1原子％至24原子％的Ta和0.1原子％至23原子％的Nb中的任意一者。
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