[发明专利]静电保护电路有效
申请号: | 201810028119.8 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN108269801B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 洪光辉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种静电保护电路。本发明的静电保护电路包括信号线以及与信号线对应的ESD器件。所述ESD器件包括设置在信号线与恒压高电位之间的连接路径上及信号线与恒压低电位之间的连接路径上的薄膜晶体管,所述ESD器件中,设置在信号线与恒压高电位之间的连接路径上及信号线与恒压低电位之间的连接路径上的薄膜晶体管均为多个,通过增加静电释放路径或者降低静电释放时产生的电流,从而有效地提升了静电保护电路的抗静电能力。 | ||
搜索关键词: | 静电 保护 电路 | ||
【主权项】:
1.一种静电保护电路,其特征在于,包括信号线(10)以及与信号线(10)对应的ESD器件;所述ESD器件将信号线(10)与恒压高电位(VGH)、恒压低电位(VGL)和接地端(GND)连接;或者,所述ESD器件将信号线(10)与恒压高电位(VGH)、恒压低电位(VGL)连接;所述ESD器件包括设置在信号线(10)与恒压高电位(VGH)之间的连接路径上及信号线(10)与恒压低电位(VGL)之间的连接路径上的薄膜晶体管,所述ESD器件中,设置在信号线(10)与恒压高电位(VGH)之间的连接路径上及信号线(10)与恒压低电位(VGL)之间的连接路径上的薄膜晶体管均为多个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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