[发明专利]场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810028656.2 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108389890B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 黄贤国;宋洵奕;王猛 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种场效应晶体管及其制造方法，包括：衬底；阱区；体接触区、源区和漏区，位于阱区内，源区位于体接触区与漏区之间，源区与漏区之间形成沟道；栅极导体，位于源区与漏区之间的沟道上；衬底、阱区和体接触区为第一掺杂类型，源区和漏区为第二掺杂类型，阱区包括第一阱区和被第一阱区包覆的第二阱区，第二阱区的掺杂浓度高于第一阱区的掺杂浓度，第二阱区至少延伸在体接触区与源区之间，漏区位于所述第一阱区内。场效应晶体管中存在寄生三极管，通过调节第二阱区的掺杂浓度或者范围来控制寄生三极管的电流大小。通过在第一阱区内形成第二阱区，增大场效应晶体管的维持电压，最终减小场效应晶体管的寄生三极管电流对场效应晶体管的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其中，包括：衬底；阱区，位于所述衬底上；体接触区、源区和漏区，位于所述阱区内，所述源区位于所述体接触区与所述漏区之间，所述源区与所述漏区之间形成沟道；栅极导体，位于所述源区与所述漏区之间的所述沟道上；所述衬底、阱区和体接触区为第一掺杂类型，所述源区和漏区为第二掺杂类型，所述阱区包括第一阱区和被所述第一阱区包覆的第二阱区，所述第二阱区的掺杂浓度高于所述第一阱区的掺杂浓度，所述第二阱区至少延伸在所述体接触区与所述源区之间，所述漏区位于所述第一阱区内。
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