[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括TFET区以及CMOS区；采用第一覆盖层覆盖TFET区，并在第一覆盖层的保护下在CMOS区内形成CMOS轻掺杂漏区，以及进行第一退火工艺处理；去除第一覆盖层，形成TFET栅极侧墙以及CMOS栅极侧墙；在TFET区和CMOS区形成源漏掺杂区，并进行第二退火工艺处理；形成覆盖CMOS区的保护层，在保护层的保护下去除TFET栅极侧墙的至少一部分，并暴露出TFET栅极与TFET区的源漏掺杂区之间的半导体衬底；在TFET区内形成TFET轻掺杂漏区。本发明方案可以提高TFET轻掺杂漏区结面的浓度梯度，提高器件隧穿几率和开态电流。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括TFET区以及CMOS区，所述TFET区和CMOS区的半导体衬底表面分别形成有TFET栅极以及CMOS栅极；采用第一覆盖层覆盖所述TFET区，并在所述第一覆盖层的保护下在所述CMOS区内形成CMOS轻掺杂漏区，以及进行第一退火工艺处理；去除所述第一覆盖层，形成TFET栅极侧墙以及CMOS栅极侧墙，所述TFET栅极侧墙覆盖所述TFET栅极的侧壁，所述CMOS栅极侧墙覆盖所述CMOS栅极的侧壁；在所述TFET区和CMOS区形成源漏掺杂区，并进行第二退火工艺处理；形成覆盖所述CMOS区的保护层，在所述保护层的保护下去除所述TFET栅极侧墙的至少一部分，并暴露出所述TFET栅极与所述TFET区的源漏掺杂区之间的半导体衬底；在所述TFET区内形成TFET轻掺杂漏区。