[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810029861.0 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN110034098B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 舒强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括器件面，所述器件面包括器件区和标记区；在所述器件区形成第一器件结构、第二器件结构，并在所述标记区形成标记结构，所述标记结构包括第一旋转中心，所述标记结构绕垂直于所述器件面、且经过所述第一旋转中心的直线旋转第一角度后，所形成的结构与所述标记结构重合，所述第一角度大于零小于或等于180度；在所述器件区上形成图形化的第一图形层，并在所述标记区形成测试标记。所述形成方法能够改善半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括器件面，所述器件面包括器件区和标记区；在所述器件区形成第一器件结构、第二器件结构，并在所述标记区形成标记结构，所述标记结构包括第一旋转中心，所述标记结构绕垂直于所述器件面、且经过所述第一旋转中心的直线旋转第一角度后，所形成的结构与所述标记结构重合，所述第一角度大于零小于或等于180度，所述标记结构包括多个标记部，多个标记部围绕所述第一旋转中心均匀分布，所述标记部包括支部组，所述支部组在所述器件面上的投影图形为条形，所述支部组包括第一支部和第二支部，所述第一支部和第二支部在所述器件面上的投影图形的排列方向平行于所述支部组在所述器件面上的投影图形的延伸方向，在形成所述第一器件结构的过程中形成所述第一支部，在形成所述第二器件结构的过程中，形成所述第二标记；形成所述标记结构之后，在所述器件区上形成图形化的第一图形层，并在形成所述第一图形层的过程中在所述标记区形成测试标记，所述测试标记在所述器件面的投影图形中心相对于所述第一旋转中心在器件面的投影具有第一偏移矢量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810029861.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法
- 下一篇：包括电容器的半导体器件
