[发明专利]薄膜晶体管和场效应二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201810029927.6 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN109427569B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 张永晖;梅增霞;梁会力;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/329;H01L21/44;H01L21/34;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管和场效应二极管的制备方法，薄膜晶体管的制备方法依次包括下列步骤：步骤S1)，在透明衬底的下表面制备不透明的掩膜图形；步骤S2)，在所述透明衬底的上表面分别制备绝缘层、位于所述绝缘层的相对两侧的沟道层和栅电极、以及与所述沟道层相接触的源电极和漏电极；其中，所述栅电极以所述不透明的掩膜图形为掩膜进行自对准光刻制备，所述源电极和漏电极以所述不透明的掩膜图形作为掩膜进行自对准光刻制备，制备所述栅电极的曝光剂量不同于制备所述源电极和漏电极的曝光剂量。本发明的薄膜晶体管的制作方法以衬底下表面的不透光薄膜作为掩膜，通过两次自对准光刻过程得到栅电极和源漏电极的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 场效应 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，依次包括下列步骤：步骤S1)，在透明衬底的下表面制备不透明的掩膜图形；步骤S2)，在所述透明衬底的上表面分别制备绝缘层、位于所述绝缘层的相对两侧的沟道层和栅电极、以及与所述沟道层相接触的源电极和漏电极；其中，所述栅电极以所述不透明的掩膜图形为掩膜进行自对准光刻制备，所述源电极和漏电极以所述不透明的掩膜图形作为掩膜进行自对准光刻制备，制备所述栅电极的曝光剂量不同于制备所述源电极和漏电极的曝光剂量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
