[发明专利]包括浮置导电图案的半导体发光装置有效
| 申请号： | 201810030167.0 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108305925B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 成永圭;金载润;金台勋;龙戡翰;李东烈;李守烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种包括浮置导电图案的半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一半导体层，其包括凹陷区和突出区；布置在突出区上的有源层和第二半导体层；布置在第二半导体层上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖第一半导体层和接触结构，并且具有第一开口和第二开口；第一导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第一开口中；第二导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第二开口中；以及浮置导电图案，其布置在下绝缘图案上。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有相同的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 导电 图案 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光装置，包括：第一半导体层，其包括凹陷区和突出区；有源层和第二半导体层，它们按次序堆叠在所述第一半导体层的所述突出区上；所述第二半导体层上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖所述第一半导体层和所述接触结构，所述下绝缘图案具有暴露出所述第一半导体层的接触区的第一开口和暴露出所述接触结构的接触区的第二开口；第一导电图案，其位于所述下绝缘图案上，并且延伸至所述下绝缘图案的所述第一开口中，以电连接至所述第一半导体层的接触区；第二导电图案，其位于所述下绝缘图案上，并且延伸至所述下绝缘图案的所述第二开口中，以电连接至所述接触结构；以及浮置导电图案，其位于所述下绝缘图案上，并且与所述第一导电图案间隔开，其中，所述第一导电图案和所述第二导电图案以及所述浮置导电图案在相同的平面上具有相同的厚度。
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