[发明专利]一种CZTS薄膜锂电池负极、及其制备和应用

摘要

本发明公开了一种制备暴露(0，2，0)晶面的Cu2ZnSnS4薄膜锂离子电池电极的制备方法及其在薄膜锂电中的应用；利用磁控溅射，溅射一层同种金属的硫化物预制层，而后在含有H2S的气氛中利用三种金属靶共溅射直接反应溅射活性物质一步成膜。所述薄膜置于保护性气氛中，高温退火，即得到相应的薄膜电极。这种利用反应溅射合成的薄膜具有特定的结构特征，提高了锂离子的传输效率，提高了材料的能量密度发挥，在锂离子电池中能有效降低电极极化，提高放电性能和循环稳定性。

主权项

1.一种CZTS薄膜锂离子电池负极，其特征在于，包括集流体，复合在集流体表面的金属硫化物预制层，以及复合在金属硫化物预制层上的活性物质层；所述的金属硫化物预制层的材料为晶格参数在3.78‑3.99内的金属硫化物；所述的活性物质层的材料为暴露(0，2，0)晶面的Cu₂ZnSnS₄。