[发明专利]一种SnS2有效

专利信息
申请号: 201810033576.6 申请日: 2018-01-12
公开(公告)号: CN110034278B 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 张治安;赖延清;王麒羽;汪齐;刘芳洋;洪波;张凯;李劼 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: H01M4/136 分类号: H01M4/136;H01M4/1397;H01M4/04;H01M10/0525;C23C14/06;C23C14/35
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 盛武生;魏娟
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明属于薄膜材料技术领域,具体公开了一种SnS2薄膜锂电池负极,包括集流体,复合在集流体表面的金属缓冲层,以及复合在金属缓冲层上的活性物质层;所述的金属缓冲层的材料为晶格常数在3.6‑4.7之间具有导电性的金属;所述的活性物质层的材料为暴露(0,0,1)晶面的SnS2。本发明还公开了所述的SnS2薄膜锂电池负极的制备方法,预先在集流体上溅射金属缓冲层,随后再以Sn在H2S下反应溅射,在金属缓冲层表面一步成型得到所述结构的活性物质层。本发明还公开了所述的负极的应用。将该薄膜与锂片组装成扣式电池,证明该材料表现出优良的电化学性能,能有效降低电极极化,提高电池的能量密度和循环稳定性。
搜索关键词: 一种 sns base sub
【主权项】:
1.一种SnS2薄膜锂电池负极,其特征在于,包括集流体,复合在集流体表面的金属缓冲层,以及复合在金属缓冲层上的活性物质层;所述的金属缓冲层的材料为晶格常数在3.6‑4.7之间具有导电性的金属;所述的活性物质层的材料为暴露(0,0,1)晶面的SnS2
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