[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号： | 201810033700.9 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108288619A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 喻蕾;李松杉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板的制作方法包括：在一次沉积工艺中形成非晶硅层和覆盖非晶硅层的绝缘层；对非晶硅层进行处理，以使非晶硅层变成多晶硅层。通过上述方式，本申请能够解决多晶硅表面氧化而影响其中载流子浓度的问题，提高了阵列基板的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅层 阵列基板 显示装置 绝缘层 载流子 制作 多晶硅表面 多晶硅层 工作性能 沉积 申请 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在一次沉积工艺中形成非晶硅层和覆盖所述非晶硅层的绝缘层；对所述非晶硅层进行处理，以使所述非晶硅层变成多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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