[发明专利]一种硫化铅敏化氧化铟锡光电阴极的简单制备方法在审
| 申请号： | 201810034674.1 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN108198943A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 董玉明;夏世彬;王光丽;蒋平平;赵爽 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L51/44 | 分类号： | H01L51/44;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硫化铅敏化氧化铟锡光电阴极的简单制备方法，属于材料科学技术领域和光电催化制氢领域。本发明通过简单的旋涂的方法把空穴传导层氧化铟锡制备到FTO导电玻璃基质上，然后在有离子层吸附的方法把硫化铅负载在氧化铟锡上，制备出硫化铅敏化的氧化铟锡复合光电阴极，本方法采用的非贵金属原料、制备方法简便，得到的硫化铅敏化氧化铟锡光电阴极有效的提高了光电流。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铟锡 硫化铅 制备 光电阴极 敏化 材料科学技术 空穴传导层 非贵金属 光电催化 光电流 离子层 基质 吸附 旋涂 制氢 复合 | ||
【主权项】：
1.一种硫化铅敏化的氧化铟锡光电阴极，其特征在于，所述硫化铅敏化的氧化铟锡光电阴极是由导电基质FTO玻璃、氧化铟锡和硫化铅组成的。
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