[发明专利]极紫外(EUV)光刻掩模有效
| 申请号： | 201810034864.3 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109669318B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 孙磊;O·R·伍德二世;G·贝克;陈宇路;E·沃尔杜伊恩;F·古德温 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及极紫外(EUV)光刻掩模。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及极紫外(EUV)光刻掩模及其制造方法。该EUV掩模结构包括：反射层；位于所述反射层上的覆盖材料；位于所述覆盖层上的缓冲层；位于所述缓冲层上交替吸收体层；以及位于所述交替吸收体层顶部上的覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 euv 光刻 | ||
【主权项】：
1.一种极紫外掩模结构，包括：反射层；位于所述反射层上的覆盖材料；位于所述覆盖层上的缓冲层；位于所述缓冲层上交替吸收体层；以及位于所述交替吸收体层的顶部上的覆盖层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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