[发明专利]等离子体源有效
| 申请号： | 201810035138.3 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN108933076B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 糸井骏;藤田秀树 | 申请（专利权）人： | 日新离子机器株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李成必;李雪春 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够实现装置尺寸的小型化和抑制永磁铁升温两者的等离子体源。等离子体源(1)包括：室(2)，在内部生成等离子体；一对镜像磁铁(m1、m2)，在室(2)的周围沿第一方向(Z)配置；以及勾形磁铁(c)，配置在一对镜像磁铁(m1、m2)之间，勾形磁铁(c)由多个永磁铁(P)构成，所述多个永磁铁(P)在与第一方向(Z)垂直的面内在室(2)的周围隔开间隙(S)配置，所述永磁铁(P)的室一侧的极性与相邻配置的所述永磁铁(P)的极性交替不同，各镜像磁铁(m1、m2)由多个永磁铁(P)构成，所述多个永磁铁(P)在与第一方向(Z)垂直的面内，以室一侧的极性为同极性的方式在室(2)的周围隔开间隙(S)配置，各镜像磁铁(m1、m2)的室一侧的极性不同。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体源，其特征在于包括：室，在内部生成等离子体；一对镜像磁铁，在所述室的周围沿第一方向配置；以及勾形磁铁，配置在所述一对镜像磁铁之间，所述勾形磁铁由多个永磁铁构成，所述多个永磁铁在与所述第一方向垂直的面内在所述室的周围隔开间隙配置，所述永磁铁的所述室一侧的极性与相邻配置的所述永磁铁的极性交替不同，各镜像磁铁由多个永磁铁构成，所述多个永磁铁在与所述第一方向垂直的面内，以所述室一侧的极性为同极性的方式在所述室的周围隔开间隙配置，各镜像磁铁的所述室一侧的极性不同。
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