[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810035376.4 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109148472B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 崔康植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35;H10B41/27;H10B41/35 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置及其制造方法。可以提供半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置可以包括源极选择线。该半导体装置可以包括字线。该半导体装置可以包括沟道层。该半导体装置可以包括源极结构。所述源极结构可以被设置在所述源极选择线下方。所述源极结构可以与所述沟道层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：源极选择线，所述源极选择线包括第一导电层和设置在所述第一导电层上的第二导电层；字线，所述字线在彼此间隔开的同时堆叠在所述源极选择线上方；沟道层，所述沟道层穿过所述字线和所述源极选择线，并且比所述源极选择线更朝向向下的方向突出；以及源极结构，所述源极结构被设置在所述源极选择线下方，并且与所述沟道层的侧壁直接接触。
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