[发明专利]记忆体散热单元及其制造方法在审
| 申请号： | 201810035820.2 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN108336039A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 吴东益 | 申请（专利权）人： | 吴东益 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/367;H01L23/40 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;李林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种记忆体散热单元及其制造方法，包含：一本体；所述本体具有一第一部分及一第二部分及一连接部，所述连接部两端连接前述第一部分、第二部分，所述第一部分、第二部分分别具有至少一第一受热部及至少一第二受热部，所述第一受热部、第二受热部对应与至少一晶片接触进行热传导，并通过冲压加工制成前述本体，如此达到对记忆体进行热交换散热，及快速成型该本体结构进而节省制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 受热部 记忆体 散热单元 热交换 冲压加工 晶片接触 快速成型 制造成本 热传导 散热 制造 | ||
【主权项】：
1.一种记忆体散热单元，其特征是包含：一本体，具有一第一部分、一第二部分及一连接部，所述连接部两端连接前述第一部分、第二部分，所述第一部分、第二部分分别具有至少一第一受热部及至少一第二受热部，所述第一受热部、第二受热部对应与至少一晶片接触进行热传导。
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