[发明专利]一种高性能钙钛矿/有机半导体异质结型光电探测器

摘要

本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体为一种高性能钙钛矿/有机半导体光电探测器。本发明光电探测器通过叠层制备工艺制备，其结构由下至上依次为：透明底电极层，有机半导体和钙钛矿功能层，顶电极层；其中，有机半导体和钙钛矿功能层由下至上依次为空穴型有机半导体、钙钛矿、空穴型有机半导体，或者为电子型有机半导体、钙钛矿、电子型有机半导体；钙钛矿和有机半导体层构成两个异质结；顶电极为金属金或者金属银。该光电探测器响应光谱宽，对全波段的可见光谱具有响应，结构简单，工作电压0.7V，且具有电压饱和特性，能够有效抑制电压噪声对探测器性能的影响。

主权项

1.一种高性能钙钛矿/有机半导体异质结型光电探测器，其特征在于，通过叠层制备工艺制备，其结构由下至上依次为：透明底电极层，有机半导体和钙钛矿功能层，顶电极层；其中：所述透明底电极层位于衬底之上，为金属氧化物、超薄金属或者导电有机材料PEDOT：PSS；其中，金属氧化物包括氧化铟锡ITO、氟化的氧化锡FTO；所述有机半导体和钙钛矿功能层位于透明底电极层的上方，由下至上依次为空穴型有机半导体、钙钛矿、空穴型有机半导体，或者为电子型有机半导体、钙钛矿、电子型有机半导体；钙钛矿和有机半导体层构成两个异质结；所述顶电极在有机半导体和钙钛矿功能层上方，为金属金或者金属银，厚度50‑200纳米。