[发明专利]显示装置制造用相移掩模坯料、显示装置制造用相移掩模的制造方法及显示装置的制造方法有效
申请号: | 201810039303.2 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN108319104B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 坪井诚治 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供具备透射率波长依赖性优异的新型相移膜的用于制造显示装置的相移掩模坯料。该相移掩模坯料具备:透明基板、和形成在该透明基板上的相移膜,所述相移膜至少具有相移层和金属层,所述相移层由包含金属、硅和选自氮及氧中的至少一种的材料形成,所述金属层由下述材料形成:由金属和硅构成的材料、或者由金属、硅和选自碳、氟、氮、氧中的至少一种构成的材料,所述金属层所含的金属的含有率高于所述相移层所含的金属的含有率,或者,所述金属层所含的金属和硅的总含有率高于所述相移层所含的金属和硅的总含有率,所述相移膜在波长365nm以上且436nm以下的范围的透射率波长依赖性为5.5%以内。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 制造 相移 坯料 方法 | ||
【主权项】:
1.一种相移掩模坯料,其是用于制造显示装置的相移掩模坯料,该相移掩模坯料具备:透明基板、和形成在该透明基板上的相移膜,其中,所述相移膜由2层以上的叠层膜形成,所述相移膜至少具有相移层和金属层,所述相移层主要具有调整对于曝光光的透射率和相位差的功能,所述金属层具有调整对波长365nm以上且436nm以下范围的透射率波长依赖性的功能,所述相移膜中,所述相移膜对于曝光光的透射率和相位差具有给定的光学特性,所述相移层由包含金属、硅和选自氮及氧中的至少一种的材料形成,所述金属层由下述材料形成:由金属和硅构成的材料、或者由金属、硅和选自碳、氟、氮、氧中的至少一种构成的材料,所述金属层所含的金属的含有率高于所述相移层所含的金属的含有率,或者,所述金属层所含的金属和硅的总含有率高于所述相移层所含的金属和硅的总含有率,所述相移膜在波长365nm以上且436nm以下范围的透射率波长依赖性为5.5%以内。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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