[发明专利]一种具有双层氧化物层的阻变存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810039738.7 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108198936A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李钦;胡浩威 | 申请（专利权）人： | 安徽建筑大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 安徽深蓝律师事务所 34133 | 代理人： | 汪锋 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子制造技术及存储器件技术领域，公开了一种具有双层氧化物层的阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器器件结构包括：顶电极、底电极以及包含在两端电极之间的双层氧化物阻变存储层。本发明提出的阻变存储器件单元具有自整流特性，可不依赖于额外的选通单元，依靠自身的整流特性解决器件间的电流串扰问题。同时本发明的阻变存储器件采用磁控溅射或电子束蒸发方式制备，工艺过程简单、制造成本低，可实现高集成的三维十字交叉堆叠结构。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变存储器件 双层氧化物 制备 微电子制造技术 电子束蒸发 阻变存储层 阻变存储器 磁控溅射 存储器件 堆叠结构 工艺过程 两端电极 器件结构 十字交叉 选通单元 整流特性 制造成本 底电极 顶电极 高集成 自整流 串扰 三维 | ||
【主权项】：
1.一种具有双层氧化物层的阻变存储器件，其特征在于：该存储器件具有自整流存储特性，该器件采用三层夹层式结构，分别为顶电极、底电极及阻变存储层，所述阻变存储层由InmGanZnkO氧化层与TaOx氧化层的结构组成。
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