[发明专利]一种新型的背接触异质结电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种新型的背接触异质结电池及其制作方法，电池包括硅基体片，硅基体片的受光面依次设置半导体钝化层、第一半导体层和减反射层，背光面设置半导体钝化层，半导体钝化层上交错排列着第一半导体层和第二半导体与第一半导体的叠层，第一半导体层和叠层上分别设置有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上设置有电极，第一半导体层与叠层之间设置有绝缘隔离层，所述第二半导体层与第一半导体层之间形成带间隧穿接触。本发明操作步骤简单，第一半导体层直接覆盖在第二半导体层上，无需再次掩膜刻蚀，从而减少了制作过程中多次掩膜及刻蚀带来的性能损伤与对位的复杂性，适合未来大规模的量产需求。

主权项

1.一种新型的背接触异质结电池，其特征在于：包括硅基体片，所述硅基体片的受光面依次设置半导体钝化层、第一半导体层和减反射层，所述硅基体片的背光面设置半导体钝化层，所述半导体钝化层上交错排列着第一半导体层和第二半导体与第一半导体的叠层，所述第一半导体层和叠层上分别设置有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上设置有电极，所述第一半导体层与叠层之间设置有绝缘隔离层，所述第二半导体层与第一半导体层之间形成带间隧穿接触。