[发明专利]柔性基材电路板及金属钉扎层的制备方法和设备

摘要

本发明公开了一种柔性基材电路板及金属钉扎层的制备方法和设备，其中，该金属钉扎层的制备方法包括：利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入第一金属元素，对所述基底层进行清洗；利用磁过滤阴极真空弧(FCVA)离子源，在清洗后的基底层表面，磁过滤沉积得到第一金属膜层；利用所述MEVVA离子源，向所述第一金属膜层表面注入第二金属元素，形成金属钉扎层。因此，采用本发明的制备方法和设备制备得到的金属钉扎层和柔性基材电路板具有很高结合力和抗剥离性。

主权项

1.一种金属钉扎层的制备方法，其特征在于，包括：利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入第一金属元素，对所述基底层进行清洗，并形成金属掺杂层；其中，所述第一金属元素的注入电压为4～8kV，束流强度为1～4mA；利用磁过滤阴极真空弧(FCVA)离子源，在所述金属掺杂层上通过磁过滤沉积得到3nm～10nm的第一金属膜层；利用所述MEVVA离子源，向所述第一金属膜层表面注入第二金属元素，形成金属钉扎层；利用所述FCVA离子源，在所述金属钉扎层上，磁过滤沉积出10～30nm的金属覆盖层；其中所述磁过滤沉积时，弧流为90～150A，弯管磁场电流为1.0～4.0A；所述第一金属元素为Ni或者Cu，其注入电压为4～8kV，束流强度为1～4mA，注入剂量为1×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²，注入深度为70～120nm；和/或，所述第二金属元素为Ni或Cu，其注入电压为10～15kV，注入金属束流强度为1～4mA，注入剂量为1×10¹⁵～5×10¹⁵/cm²；所述基底层为聚酰亚胺膜，由均苯四甲酸二酐(PMDA)和二氨基二苯醚(ODA)在极强性溶剂二甲基乙酰胺(DMAC)中经缩聚并流涎成膜，再经亚胺化而成；且所述第一金属膜层为Ni膜层或者Cu膜层；所述第一金属膜层的厚度大于或等于3nm，且小于10nm。