[发明专利]一种基于碳布原位生长三氧化钨超级电容器电极材料的制备方法在审
| 申请号： | 201810044071.X | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108364794A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杨东江;邹译慧;阴卓成;孙瑾 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266071 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于碳布原位生长三氧化钨超级电容器电极材料的制备方法。主要制备步骤如下：将碳布浸泡在盐酸中一晚上进行亲水处理，将处理后的碳布浸泡在钨酸的种子溶液中，浸泡完成后在马弗炉中进行烧结得到含有三氧化钨种子的碳布，然后将得到的碳布放到含有氯化钨的乙醇溶液中进行水热反应得到一种电容性能优异的电极材料，其比容量在电流密度为5mA cm‑2时可达600mF cm‑2，以此方法制备的超级电容器具有良好电容性能。现在已有的工作很难将三氧化钨的超电性能有效提升主要是因为三氧化钨差的导电性以及在电解液中反应的不充分。因此，提高三氧化钨的导电性已经增加其反应的活性位点是至关重要的。本发明通过将三氧化钨纳米片生长到导电性极强的碳布上来有效增加活性位点以及导电性从而提高超电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 碳布 三氧化钨 导电性 制备 浸泡 超级电容器电极 活性位点 原位生长 电性能 电容 三氧化钨纳米片 超级电容器 电极材料 亲水处理 水热反应 乙醇溶液 种子溶液 烧结 比容量 电解液 氯化钨 马弗炉 钨酸 盐酸 生长 | ||
【主权项】：
1.一种基于碳布原位生长三氧化钨超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：1)将碳布浸泡在盐酸中一晚上进行亲水处理；2)将处理后的碳布浸泡在钨酸的种子溶液中；3)浸泡完成后在马弗炉中进行烧结得到含有三氧化钨种子的碳布；4)将得到的碳布放到含有氯化钨的乙醇溶液中进行水热反应；5)用电化学工作站测试上述产物的电化学性能。
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