[发明专利]一种新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件在审
| 申请号： | 201810044594.4 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108022912A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 吕海凤;赵德益;苏海伟;赵志方;王允;张啸;苏亚兵;蒋骞苑;霍田佳 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/74 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 韩国辉 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件，用于防护核心电路输入/输出端、正电源端和负电源端之间的静电放电，其包括：一种衬底；形成在该衬底上方的多个P型阱区域和N型阱区域以及形成在阱区上的重掺杂区，由这些阱区和掺杂区构成了双向三极管器件和双向SCR器件，两种器件以并联方式连接在被保护的端口之间。本发明所形成的双向SCR器件结构简单，工艺层次少，可集成在CMOS工艺、BICMOS工艺、BCD工艺中；可通过调整关键注入区的浓度获得较低的完全对称的双向触发电压；所形成的双向半导体器件从输入端到输出端存在两条泄放大电流的路径，在相同的面积下提高了器件的抗浪涌能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 触发 电压 双向 scr 半导体 保护 器件 | ||
【主权项】：
1.一种新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件，其特征在于：包括衬底区，阱区和重掺杂区；所述的衬底区(100)为第一导电类型衬底；所述的阱区形成于衬底区(100)之上，从左至右为依次相邻的第二导电类型阱区(120)，第一导电类型阱区(130)，第二导电类型阱区(140)；所述的第二导电类型阱区(120)内有第二导电类型重掺杂区(210)和第一导电类型重掺杂区(220)；所述的第一导电类型阱区(130)内有第二导电类型重掺杂区(230)和(240)；所述的第二导电类型阱区(140)内有第二导电类型重掺杂区(260)和第一导电类型重掺杂区(250)；第一导电类型阱区(130)、第二导电类型重掺杂区(230)和第二导电类型重掺杂区(240)构成双向三极管器件；第二导电类型阱区(120)、第一导电类型阱区(130)、第二导电类型阱区(140)以及重掺杂区(210)、(220)、(250)、(260)构成双向SCR器件；第二导电类型重掺杂区(210)、第一导电类型重掺杂区(220)和第二导电类型重掺杂区(230)相连作为第一电极；第二导电类型重掺杂区(260)、第一导电类型重掺杂区(250)和第二导电类型重掺杂区(240)相连作为第二电极。
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