[发明专利]可实现高耐压的ESD保护器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810045594.6 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108039348A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 赵德益;苏海伟;吕海凤;赵志方;张啸;王允;霍田佳 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 韩国辉 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可实现高耐压的ESD保护器件，其特征在于：包括衬底、第一外延层、埋层注入、第二外延层、第二外延层的掺杂区，以及穿过第一外延层和第二外延层到达衬底的深槽，器件正面开孔溅射金属形成正面电极，器件背面衬底减薄后蒸发金属形成背面电极。本发明公开的器件结构简单可实行，能制作小型化便携式产品，克服了现有高压台面工艺器件尺寸偏大及普通纵向NPN/PNP结构存在穿通Punch Through难以实现高耐压的缺点，从而被广泛应用到消费电子、工业控制和汽车电子等系统中的高压ESD防护。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 耐压 esd 保护 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.可实现高耐压的ESD保护器件，其特征在于：包括衬底(100)、第一外延层(110)、埋层注入(120)、第二外延层(130)、第二外延层的掺杂区(140)，以及穿过第一外延层和第二外延层到达衬底的深槽(150)，器件正面开孔溅射金属形成正面电极(200)，器件背面衬底减薄后蒸发金属形成背面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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