[发明专利]一种基于方酸衍生物的氨气传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201810045907.8 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN108387618B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 路建美;贺竞辉 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙周强;陶海锋 |
| 地址： | 215104 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于方酸衍生物的氨气传感器的制备方法。具体而言，本发明的氨气传感器包括叉指电极和镀膜材料，该镀膜材料为如式I所示的方酸衍生物MSA，其通过真空镀膜技术镀于叉指电极上，并且其厚度为100~200 nm。本发明的氨气传感器制备便捷，操作简单，选择性高，对于氨气的传感强度远高于其他分子；另外，本发明的氨气传感器灵明度高，对极小变化的氨气均有电流响应，并且最低检测限极低，可测试ppb级别的氨气。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 衍生物 氨气 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于方酸衍生物的氨气传感器的制备方法，其包括如下步骤：1）清洁基板，并将叉指电极固定在所述基板上；2）将步骤1）中固定有叉指电极的基板置于真空镀膜装置中，并向所述真空镀膜装置中装入作为镀膜材料的根据权利要求1所述的如式I所示的方酸衍生物；3）按照如下条件设置真空镀膜参数：蒸镀速度为5~6 Å/s，蒸镀压力为1E‑6~1E‑5 mbar，蒸镀温度为120~140℃；4）参数设置完成后，开启减压装置来降低所述真空镀膜装置的腔内气压，当腔内气压小于5.0 mbar时，开启分子泵，当气压达到蒸镀压力时，开始蒸镀薄膜，直至镀膜达到所需的厚度，即得基于方酸衍生物的氨气传感器；所述方酸衍生物的化学结构式如式I所示；![]()
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