[发明专利]一种图形化掩模的制造方法有效
| 申请号： | 201810046005.6 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108257854B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 李中天 | 申请（专利权）人： | 苏州太阳井新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/30 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 215127 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种图形化掩模的制造方法；在衬底上设置一层高分子材料；将这层高分子材料中不需要保留的部分区域接触含有固体纳米颗粒的溶液；进行烘烤或微波辐射或热处理；将包含高分子材料涂层的衬底浸在显影溶液或通过喷雾显影法显影，直到高分子材料涂层中接触固体纳米颗粒溶液的区域溶解。和传统光刻工艺相比，此图形化掩膜的方法不需要光源与曝光过程，并且高分子材料中并不需要添加光敏成分，大幅降低材料成本。在需要低成本掩膜的应用，如太阳能电池制造等领域，可使工艺总成本降低，由于成本原因发展受限的技术(例如采用镀铜电极的异质结太阳能电池)在应用本发明所述技术后有望得到产业化推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 化掩模 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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