[发明专利]一种超低介质损耗的聚酰亚胺薄膜有效
| 申请号： | 201810047784.1 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109648970B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李磊;袁舜齐;何志斌 | 申请（专利权）人： | 深圳瑞华泰薄膜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B32B27/28 | 分类号： | B32B27/28;B32B27/18;B32B27/08;C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 张黎 |
| 地址： | 518105 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种可直接与铜箔粘合的，超低介质损耗的聚酰亚胺薄膜及其制备方法，该聚酰亚胺薄膜由一层芯层和一层表层构成，或者由两层表层中间夹一层芯层构成，所述聚酰亚胺薄膜在10GHz测试频率下的介质损耗因数为0.0030～0.0060，介电常数＜3.0。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介质 损耗 聚酰亚胺 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种多层聚酰亚胺薄膜，其特征在于，由一层芯层和一层表层构成，或者由两层表层中间夹一层芯层构成，在10GHz测试频率下，所述的多层聚酰亚胺薄膜的介质损耗因数为0.0030～0.0060，介电常数＜3.0，该多层聚酰亚胺薄膜可与铜箔直接粘结；其中，所述的芯层为由含有高刚性基团结构的二胺或二酐制备而成的聚酰亚胺薄膜；所述的表层为由含疏水基团结构的二胺或二酐制备而成的聚酰亚胺薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳瑞华泰薄膜科技股份有限公司，未经深圳瑞华泰薄膜科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810047784.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
