[发明专利]金属线引出工艺结构及其制备方法和背照式图像传感器

摘要

本发明提供了一种金属线引出工艺结构及其制备方法和背照式图像传感器，金属线引出工艺结构包括：衬底，衬底包括凹槽和光电二极管预制备区；凹槽的纵切面呈一正梯形形状；凹槽的底部下方填埋有一金属互联层；凹槽的底部设有开口，开口穿过凹槽的底部的所述衬底，且终止于金属互联层；第一介质层，覆盖光电二极管预制备区处的衬底的表面；氧化层，覆盖述凹槽的侧壁和底部的一部分，且覆盖第一介质层的表面，覆盖第一介质层表面的氧化层以及第一介质层于所述凹槽正上方区域的纵切面呈一倒梯形形状。本发明能够解决现有金属线引出工艺结构中，位于凹槽侧壁的氧化层的厚度不能达到隔离金属与硅的要求，进而导致器件性能下降的问题。

主权项

1.一种金属线引出工艺结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括凹槽和光电二极管预制备区；其中，所述凹槽的纵切面呈一正梯形形状；所述凹槽的底部下方填埋有一金属互联层；所述凹槽的底部设有开口，所述开口穿过所述凹槽的底部的所述衬底，且终止于所述金属互联层；第一介质层，覆盖所述光电二极管预制备区处的所述衬底的表面；氧化层，覆盖所述凹槽的侧壁和底部的一部分，且覆盖所述第一介质层的表面，其中，覆盖第一介质层表面的氧化层以及第一介质层于所述凹槽正上方区域的纵切面呈一倒梯形形状。